5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFAG50 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) |
|
| IRFAG50 | SEME-LAB |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| IRFAG52 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.1A I(D) | TO-204AA |
|
| IRFB11N50 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A) |
|
| IRFB11N50A | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A) |
|
| IRFB11N50A | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFB11N50APBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFB13N50A | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFB13N50A | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFB13N50A | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.450ohm, Id=14A) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
