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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.21 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 860 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A | 最大漏源导通电阻： | 2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 22 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFAG52 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.1A I(D) | TO-204AA |
|
| IRFB11N50 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A) |
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| IRFB11N50A | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A) |
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| IRFB11N50A | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFB11N50APBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFB13N50A | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFB13N50A | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFB13N50A | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.450ohm, Id=14A) |
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| IRFB13N50APBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFB13N50APBF | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
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