是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.38 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 900 V |
最大漏极电流 (ID): | 1.6 A | 最大漏源导通电阻: | 8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-204AA |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 6.4 A |
认证状态: | COMMERCIAL | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFAF22 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | TO-204AA | |
IRFAF30 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) | |
IRFAF40 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) 900V, N-CHANNEL | |
IRFAF42 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-204AA | |
IRFAF50 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS | |
IRFAF52 | ROCHESTER |
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5.7A, 900V, 1.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
IRFAG20 | ROCHESTER |
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1.3A, 1000V, 11.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | |
IRFAG22 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 1.3A I(D) | TO-204AA | |
IRFAG30 | INFINEON |
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HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) | |
IRFAG30 | ROCHESTER |
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2.3A, 1000V, 6.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO- |