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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3 |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, 2 PIN | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.34 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.3 A | 最大漏源导通电阻： | 6.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 9.2 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFAG40 | INFINEON |
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REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖T |
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| IRFAG40 | ROCHESTER |
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3.9A, 1000V, 4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA, HERMETIC SEALED, MODIFIED TO-3, |
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| IRFAG42 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.6A I(D) | TO-204AA |
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| IRFAG50 | INFINEON |
获取价格 |
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE) |
|
| IRFAG50 | SEME-LAB |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFAG52 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.1A I(D) | TO-204AA |
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| IRFB11N50 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A) |
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| IRFB11N50A | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A) |
|
| IRFB11N50A | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFB11N50APBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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