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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF9Z34NSTRRPBF
IRF9Z34NSTRRPBF PDF预览

IRF9Z34NSTRRPBF

更新时间： 2024-11-25 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 336K
描述
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF9Z34NSTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：7.42其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：180 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：68 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF9Z34NSTRRPBF 数据手册

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PD - 9.913A  
IRF9Z34S/L  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Surface Mount (IRF9Z34S)  
l Low-profile through-hole (IRF9Z34L)  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = -60V  
RDS(on) = 0.14Ω  
G
l P- Channel  
l Fully Avalanche Rated  
Description  
ID = -18A  
S
Third Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This  
benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETs  
arewellknownfor,providesthedesignerwithanextremely  
efficient and reliable device for use in a wide variety of  
applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate  
up to 2.0W in a typical surface mount application.  
The through-hole version (IRF9Z34L) is available for low-  
profile applications.  
2
D
Pa k  
T O -2 6 2  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
-18  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Continuous Drain Current, VGS @ 10Vꢀ  
Pulsed Drain Current ꢀ  
-13  
A
-72  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
3.7  
W
W
Power Dissipation  
88  
Linear Derating Factor  
0.59  
± 20  
370  
-18  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒꢀ  
Operating Junction and  
8.8  
mJ  
V/ns  
-4.5  
-55 to + 175  
300 (1.6mm from case )  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
1.7  
Units  
RθJC  
RθJA  
°C/W  
Junction-to-Ambient ( PCB Mounted,steady-state)**  
–––  
40  
8/25/97  
1234567...10

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IRF9Z34NSTRRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF9Z34NSTRR INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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 HEXFET㈢ POWER MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9Z34PBF KERSEMI

获取价格

 		Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated P-Channel
IRF9Z34PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF9Z34PBF VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRF9Z34S INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.14ohm, Id=-18A)
IRF9Z34S VISHAY

获取价格

 		Power MOSFET
IRF9Z34S, SiHF9Z34S VISHAY

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 		Power MOSFET
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IRF9Z34SPBF VISHAY

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