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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 96 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.175 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9Z24N-029PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9Z24N-030PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9Z24N-031 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9Z24N-031PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z24NL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) |
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| IRF9Z24NLPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF9Z24NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF9Z24NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A) |
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| IRF9Z24NSPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF9Z24NSTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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