IRF9Z24LPBF

更新时间： 2024-10-02 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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IRF9Z24LPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	240 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.28 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF9Z24LPBF 数据手册

IRF9Z24S, IRF9Z24L, SiHF9Z24S, SiHF9Z24L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Advanced Process Technology

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 60

Available

• Surface Mount (IRF9Z24S/SiHF9Z24S)

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.28

•

Low-Profile Through-Hole (IRF9Z24L/SiHF9Z24L)

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

5.4

COMPLIANT

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

• P-Channel

Configuration

Single

• Fully Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

DESCRIPTION

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

Third generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

P-Channel MOSFET

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest

power capability and the lowest possible on-resistance in

any existing surface mount package. The D²PAK is suitable

for high current applications because of its low internal

connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a

typical surface mount application.

The through-hole version (IR9Z24L/SiH9Z24L) is available

for low-profile applications.

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRF9Z24STRRPbF^a

SiHF9Z24STR-E3^a

IRF9Z24STRR^a

I²PAK (TO-262)

IRF9Z24LPbF

SiHF9Z24L-E3

IRF9Z24L

IRF9Z24SPbF

SiHF9Z24S-E3

IRF9Z24S

IRF9Z24STRLPbF^a

SiHF9Z24STL-E3^a

IRF9Z24STRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF9Z24S

SiHF9Z24STL^a

SiHF9Z24STR^a

SiHF9Z24L

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

- 60

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

- 11

- 7.7

- 44

0.40

240

- 11

6.0

Continuous Drain Current^e

V_GSat - 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

E_AR

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91091

S-Pending-Rev. A, 03-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF9Z24N	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)
IRF9Z24N	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRF9Z24N-002	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9Z24N-002PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9Z24N-003	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9Z24N-003PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9Z24N-004	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9Z24N-004PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9Z24N-005	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9Z24N-009PBF	INFINEON	获取价格	12A, 55V, 0.175ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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