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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF9Z24FXPBF
IRF9Z24FXPBF PDF预览

IRF9Z24FXPBF

更新时间： 2024-11-18 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1815K
描述
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB,

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IRF9Z24FXPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.58
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏源导通电阻：0.28 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF9Z24FXPBF 数据手册

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IRF9Z24, SiHF9Z24  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
- 60  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• P-Channel  
RDS(on) (Ω)  
VGS = - 10 V  
0.28  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
19  
5.4  
COMPLIANT  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
11  
• Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
S
TO-220  
DESCRIPTION  
G
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
S
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
D
D
P-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF9Z24PbF  
SiHF9Z24-E3  
IRF9Z24  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF9Z24  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
- 60  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
C = 100 °C  
- 11  
Continuous Drain Current  
V
GS at - 10 V  
ID  
T
- 7.7  
- 44  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.40  
240  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
- 11  
EAR  
6.0  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
60  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
- 4.5  
- 55 to + 175  
300d  
10  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = - 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 2.3 mH, RG = 25 Ω, IAS = - 11 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ - 11 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91090  
S-Pending-Rev. A, 20-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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与IRF9Z24FXPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9Z24L INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-11A)
IRF9Z24L VISHAY

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 		Power MOSFET
IRF9Z24LPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF9Z24LPBF VISHAY

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 		Power MOSFET
IRF9Z24N INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.175ohm, Id=-12A)
IRF9Z24N UMW

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-55V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRF9Z24N-002 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9Z24N-002PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9Z24N-003 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9Z24N-003PBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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