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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9Z20-005PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z20PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z22 | INFINEON |
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P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs |
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| IRF9Z22 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9Z22 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z22-005 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z22-005PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z22-013 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z22PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9Z24 | INFINEON |
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POWER MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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