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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF9Z22PBF
IRF9Z22PBF PDF预览

IRF9Z22PBF

更新时间： 2024-10-02 05:39:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
9页 1201K
描述
Power MOSFET

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IRF9Z22PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.12Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.9 A最大漏极电流 (ID)：8.9 A
最大漏源导通电阻：0.33 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：40 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF9Z22PBF 数据手册

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IRF9Z22, SiHF9Z22  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• P-Channel Versatility  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
- 50  
Available  
• Compact Plastic Package  
• Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = - 10 V  
0.33  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
26  
6.2  
COMPLIANT  
• Low Drive Current  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
8.6  
• Excellent Temperature Stability  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
S
DESCRIPTION  
TO-220  
The Power MOSFET technology is the key to Vishay’s  
advanced line of Power MOSFET transistors. The efficient  
geometry and unique processing of the Power MOSFET  
design achieve very low on-state resistance combined with  
high transconductance and extreme device ruggedness.  
G
The P-Channel Power MOSFET’s are designed for  
application which require the convenience of reverse polarity  
operation. They retain all of the features of the more common  
N-Channel Power MOSFET’s such as voltage control, very  
fast switching, ease of paralleling, and excellent temperature  
stability.  
S
D
G
D
P-Channel MOSFET  
P-Channel Power MOSFETs are intended for use in power  
stages where complementary symmetry with N-Channel  
devices offers circuit simplification. They are also very useful  
in drive stages because of the circuit versatility offered by the  
reverse polarity connection. Applications include motor  
control, audio amplifiers, switched mode converters, control  
circuits and pulse amplifiers.  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF9Z22PbF  
SiHF9Z22-E3  
IRF9Z22  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF9Z22  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
- 50  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain-Gate Voltage (RGS = 20 KΩ)  
VDS  
VGS  
20  
V
VGDR  
- 50  
T
C = 25 °C  
- 8.9  
Continuous Drain Current  
V
GS at - 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
- 5.6  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
- 36  
Linear Derating Factor  
0.32  
W/°C  
A
Inductive Current, Clamped  
L = 100 µH  
ILM  
IL  
- 36  
Unclamped Inductive Current (Avalanche Current)  
Maximum Power Dissipation  
- 2.2  
A
TC = 25 °C  
for 10 s  
PD  
40  
W
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TJ, Tstg  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = - 25 V, starting TJ = 25 °C, L =100 µH, RG = 25 Ω  
c. ISD ≤ - 6.7 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 0.063" (1.6 mm) from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91350  
S-Pending-Rev. A, 10-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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