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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 39 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9Z20, SiHF9Z20 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF9Z20-005 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z20-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9Z20PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z22 | INFINEON |
获取价格 |
P-CHANNEL 50 VOLT POWER MOSFETs |
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| IRF9Z22 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF9Z22 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z22-005 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9Z22-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9Z22-013 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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