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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9Z12 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRF9Z12-010PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRF9Z14 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A) |
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| IRF9Z14 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9Z14.24.34FPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| IRF9Z14.24.34FX | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| IRF9Z14.24.34FXPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| IRF9Z14-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z14-018PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z14-029 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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