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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.12 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4.7 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 19 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9Z12 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
|
| IRF9Z12-010PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| IRF9Z14 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-6.7A) |
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| IRF9Z14 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9Z14.24.34FPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| IRF9Z14.24.34FX | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| IRF9Z14.24.34FXPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Sem |
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| IRF9Z14-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z14-018PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9Z14-029 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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