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IRF9D

更新时间： 2024-02-20 02:03:10

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IRF9D 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	, MODULE,6LEAD,1.1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
模拟集成电路 - 其他类型：	DC-DC REGULATED POWER SUPPLY MODULE	效率（主输出）：	81%
最大输入电压：	24 V	最小输入电压：	8 V
JESD-30 代码：	R-XDMA-P6	JESD-609代码：	e0
最大电网调整率：	1.25%	最大负载调整率：	0.75%
功能数量：	1	输出次数：	1
端子数量：	6	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	最大输出电流：	1.11 A
最大输出电压：	9.045 V	最小输出电压：	8.955 V
标称输出电压：	9 V	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装等效代码：	MODULE,6LEAD,1.1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Analog ICs
表面贴装：	NO	技术：	HYBRID
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大总功率输出：	10 W
微调/可调输出：	YES	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF9S	ETC	获取价格	Analog IC
IRF9Z10	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF9Z10	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF9Z10-003PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF9Z10-011PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF9Z10-013	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF9Z10PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF9Z10STRRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF9Z12	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
IRF9Z12-010PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-