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NDS9957

更新时间： 2024-09-27 22:45:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 342K
描述
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS9957 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.8Is Samacsys：N
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.6 A最大漏极电流 (ID)：2.6 A
最大漏源导通电阻：0.16 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS9957 数据手册

 浏览型号NDS9957的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDS9957的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS9957的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDS9957的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS9957的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDS9957的Datasheet PDF文件第7页 
February 1996  
NDS9957  
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance, provide  
superior switching performance, and withstand high energy  
pulses in the avalanche and commutation modes. These  
devices are particularly suited for low voltage applications such  
as DC motor control and DC/DC conversion where fast  
switching, low in-line power loss, and resistance to transients  
are needed.  
2.6A, 60V. RDS(ON) = 0.16W @ VGS = 10V.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
_______________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS9957  
60  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
± 20  
± 2.6  
± 10  
2
(Note 1a)  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS9957.SAM  
1234567...10

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NDS9957 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7103TRPBF INFINEON

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 adavanced process technology
IRF7103PBF INFINEON

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MMDF1N05ER2G ONSEMI

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与NDS9957相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS9957/D84Z TI

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 		2600mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9957/L86Z TI

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 		2600mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9957/L99Z TI

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 		2600mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9957/S62Z TI

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 		2600mA, 60V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
NDS9958 TI

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 		3.5A, 20V, 0.1ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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 		Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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 		3.5A, 20V, 0.1ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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 		3500mA, 20V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
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