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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.36 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 50 ns | 最大开启时间（吨）： | 35 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDS9958/D84Z | TI |
获取价格 |
3.5A, 20V, 0.1ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| NDS9958/L86Z | TI |
获取价格 |
3.5A, 20V, 0.1ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| NDS9958/L99Z | TI |
获取价格 |
3500mA, 20V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| NDS9958/S62Z | TI |
获取价格 |
3500mA, 20V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| NDS9958D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| NDS9958L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| NDS9958S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| NDS9959 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDS9959 | ONSEMI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| NDS9959/D84Z | TI |
获取价格 |
2A, 50V, 0.3ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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