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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 3.88 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 167248 | Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit | Samacsys Package Category： | Small Outline Packages |
| Samacsys Footprint Name： | SO 8L NB (SOIC) | Samacsys Released Date： | 2015-04-17 13:37:03 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.9 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.9 A | 最大漏源导通电阻： | 0.13 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDS9953A | ONSEMI |
类似代替  |
双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，30V，-2.9A，130mΩ |
|
| NDS9953A | FAIRCHILD |
类似代替 |
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| STS4DPF30L | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
DUAL P-CHANNEL 30V - 0.07 ohm - 4A SO-8 STrip |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDS9953AD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 0.13ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FDS9953AL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 0.13ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| FDS9958 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
|
| FDS9958 | ONSEMI |
获取价格 |
-60V双P沟道PowerTrench® MOSFET |
|
| FDS9958_F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 60V, 0.105ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| FDS9958F085 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET |
|
| FDS9958-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
双 P 沟道，Power Trench® MOSFET，-60V，-2.9A，105mΩ |
|
| FDS99RU | FS |
获取价格 |
Dual Serise Switching Diodes |
|
| FDS99RU3 | FS |
获取价格 |
Dual Serise Switching Diodes |
|
| FDS99S | FS |
获取价格 |
Dual Series Switching Diode |
|
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