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FDS9953AD84Z

更新时间： 2024-11-24 21:10:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 242K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.9A I(D), 30V, 0.13ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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FDS9953AD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：2.9 A最大漏源导通电阻：0.13 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS9953AD84Z 数据手册

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May 2001  
FDS9953A  
Dual 30V P-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
process. It has been optimized for power management  
applications requiring a wide range of gave drive  
voltage ratings (4.5V – 25V).  
· –2.9 A, –30 V  
RDS(ON) = 130 mW @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 200 mW @ VGS = –4.5 V  
· Low gate charge (2.5nC typical)  
· Fast switching speed  
Applications  
·
·
·
Power management  
Load switch  
· High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Battery protection  
· High power and current handling capability  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
SO-8  
S1  
G2
S2  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
–30  
±25  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
±2.9  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
±10  
PD  
W
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
RqJC  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS9953A  
FDS9953A  
13’’  
12mm  
2500 units  
Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS9953A Rev B(W)  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDS9953AL86Z FAIRCHILD

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