FDS4953_NL

更新时间： 2024-01-09 08:16:34

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
5页	97K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.055ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS4953_NL 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.34
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS4953_NL 数据手册

May 2002

FDS4953

Dual 30V P-Channel PowerTrench^ÒMOSFET

General Description

Features

This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of

Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench

process. It has been optimized for power management

applications requiring a wide range of gave drive

voltage ratings (4.5V – 25V).

· –5 A, –30 V

R_DS(ON)= 55 mW @ V_GS= –10 V

R_DS(ON)= 95 mW @ V_GS= –4.5 V

· Low gate charge (6nC typical)

· Fast switching speed

Applications

· Power management

· Load switch

· High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

· Battery protection

· High power and current handling capability

SO-8

G2 S

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

Drain-Source Voltage

–30

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

±20

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

–5

–20

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

1.6

0.9

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +175

°C

Thermal Characteristics

R_qJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

°C/W

R_qJC

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS4953

13’’

12mm

2500 units

Ó2002 Fairchild Semiconductor Corporation

FDS4953 Rev D1(W)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS4953D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.053ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4953L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.053ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS-50	YAMAICHI	获取价格	Card Edge Connector, 50 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal, Socket
FDS5170N7	FAIRCHILD	获取价格	60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5351	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 6.1A, 35mヘ
FDS5351	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，6.1A，35mΩ
FDS5670	FAIRCHILD	获取价格	60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDS5670	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，10A，14mΩ
FDS5670_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
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