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FDS5670_NL PDF预览

FDS5670_NL

更新时间： 2024-02-24 14:43:25
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
8页 251K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOIC-8

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FDS5670_NL 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：LEAD FREE, SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.014 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDS5670_NL 数据手册

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August 1999  
FDS5670  
60V N-Channel PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically  
to improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers.  
• 10 A, 60 V. RDS(ON = 0.014 Ω @ VGS = 10 V  
)
RDS(ON) = 0.017 Ω @ VGS = 6 V.  
• Low gate charge.  
These MOSFETs feature faster switching and lower gate  
charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON)  
specifications.  
• Fast switching speed.  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
The result is a MOSFET that is easy and safer to drive  
(even at very high frequencies), and DC/DC power supply  
designs with higher overall efficiency.  
• High power and current handling capability.  
D
D
D
5
6
7
8
4
3
2
1
D
G
S
S
SO-8  
S
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
60  
V
V
A
±20  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
10  
50  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
2.5  
W
1.2  
1
(Note 1c)  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
TJ, Tstg  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
50  
25  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDS5670  
FDS5670  
13’’  
12mm  
2500 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDS5670 Rev. B  
12345678

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