5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > NDS9947
NDS9947 PDF预览

NDS9947

更新时间： 2024-09-26 22:22:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 343K
描述
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

NDS9947 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：7.35
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A最大漏极电流 (ID)：3.5 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS9947 数据手册

 浏览型号NDS9947的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NDS9947的Datasheet PDF文件第3页浏览型号NDS9947的Datasheet PDF文件第4页浏览型号NDS9947的Datasheet PDF文件第5页浏览型号NDS9947的Datasheet PDF文件第6页浏览型号NDS9947的Datasheet PDF文件第7页 
February 1996  
NDS9947  
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
-3.5A, -20V. RDS(ON) = 0.1W @ VGS = 10V  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process is  
especially tailored to minimize on-state resistance, provide  
superior switching performance, and withstand high energy  
pulses in the avalanche and commutation modes. These  
devices are particularly suited for low voltage applications such  
as notebook computer power management and other battery  
powered circuits where fast switching, low in-line power loss,  
and resistance to transients are needed.  
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
________________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS9947  
-20  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
± 20  
± 3.5  
Drain Current  
- Continuous  
- Continuous TA = 70°C  
- Pulsed TA = 25°C  
Power Dissipation for Dual Operation  
TA = 25°C (Note 1a)  
± 2.5  
(Note 1a)  
± 10  
2
1.6  
W
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS9947.SAM  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

NDS9947 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS4953 FAIRCHILD

类似代替

 Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
NTMD6N02R2G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 6.0 Amps, 20 Volts
NTMD4N03R2G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET 4 A, 30 V, N−Channel SO−8 Du

与NDS9947相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS9947_02 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual 20V P-Channel PowerTrench MOSFET
NDS9947_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDS9947D84Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDS9947L86Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDS9947L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDS9947S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
NDS9947X TI

获取价格

 		3.5A, 20V, 0.1ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
NDS9948 FAIRCHILD

获取价格

 		Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDS9948 ONSEMI

获取价格

 		双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，-2.3A，250mΩ
NDS9948/D84Z TI

获取价格

 		2.3A, 60V, 0.25ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

与NDS9947相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证