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NDS9948

更新时间： 2024-11-14 22:45:23
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
10页 344K
描述
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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NDS9948 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.31
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：5454Samacsys Pin Count：8
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name：SO 8L NB (SOIC)Samacsys Released Date：2015-04-16 09:48:08
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：15 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A最大漏极电流 (ID)：2.3 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS9948 数据手册

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February 1996  
NDS9948  
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These P-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell  
density, DMOS technology. This very high density process has  
been especially tailored to minimize on-state resistance, provide  
superior switching performance, and withstand high energy  
pulses in the avalanche and commutation modes. These  
devices are particularly suited for low voltage applications such  
as notebook computer power management and other battery  
powered circuits where fast switching, low in-line power loss,  
and resistance to transients are needed.  
-2.3A, -60V. RDS(ON) = 0.25W @ VGS = -10V.  
High density cell design for low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely  
used surface mount package.  
Dual MOSFET in surface mount package.  
______________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
NDS9948  
-60  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
± 20  
± 2.3  
- Continuous TA = 25°C  
- Pulsed TA = 25°C  
(Note 1a)  
± 10  
- Continuous  
TA = 70°C (Note 1a)  
± 1.8  
Power Dissipation for Dual Operation  
2
1.6  
W
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS9948.SAM  
1234567...10

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NDS9948 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NDS9948_NL FAIRCHILD

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