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NDS9952AS62Z

更新时间： 2024-09-27 15:46:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 234K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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NDS9952AS62Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：3.7 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NDS9952AS62Z 数据手册

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February 1996  
NDS9952A  
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These dual N- and P-channel enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This  
very high density process is especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulses in the  
avalanche and commutation modes. These devices are  
particularly suited for low voltage applications such as  
notebook computer power management and other  
battery powered circuits where fast switching, low in-line  
power loss, and resistance to transients are needed.  
N-Channel 3.7A, 30V, RDS(ON)=0.08W @ VGS=10V.  
P-Channel -2.9A, -30V, RDS(ON)=0.13W @ VGS=-10V.  
High density cell design or extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount package.  
________________________________________________________________________________  
4
3
2
1
5
6
7
8
Absolute Maximum Ratings  
TA= 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
N-Channel  
30  
P-Channel  
-30  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
V
V
A
VDSS  
VGSS  
ID  
± 20  
± 20  
(Note 1a)  
± 3.7  
± 2.9  
± 15  
± 10  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
W
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
TJ,TSTG  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
R
JA  
q
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
R
JC  
q
© 1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NDS9952A.SAM  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		2.3A, 20V, 0.25ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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NDS9953A TI

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