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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDS9952/D84Z | TI |
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3A, 25V, 0.1ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| NDS9952A | FAIRCHILD |
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Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| NDS9952A | ONSEMI |
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双 N 和 P 沟道增强型场效应晶体管，30V |
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| NDS9952A/L86Z | TI |
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3700mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| NDS9952A/L99Z | TI |
获取价格 |
3700mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| NDS9952A/S62Z | TI |
获取价格 |
3700mA, 30V, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| NDS9952A_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel |
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| NDS9952AD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel |
|
| NDS9952AF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel |
|
| NDS9952A-F011 | ONSEMI |
获取价格 |
双 N 和 P 沟道增强型场效应晶体管，30V |
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