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NDS9947_NL

更新时间： 2024-11-15 21:15:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 137K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8

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NDS9947_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.74
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NDS9947_NL 数据手册

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May 2002  
NDS9947  
Dual 20V P-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
process. It has been optimized for power management  
applications requiring a wide range of gate drive voltage  
ratings (–4.5V to – 20V).  
• –3.5 A, –20 V  
RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 190 mΩ @ VGS = –4.5 V  
• Low gate charge  
• Fast switching speed  
Applications  
• Power management  
• Load switch  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• Battery protection  
• High power and current handling capability  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
SO-8  
S1  
G2  
S2  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
V
A
–20  
±20  
VGSS  
Gate-Source Voltage  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–3.5  
–15  
2
PD  
W
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
1.0  
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
–55 to +175  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1c)  
78  
135  
40  
RθJA  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1)  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
NDS9947  
NDS9947  
13’’  
12mm  
2500 units  
NDS9947 Rev B(W)  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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与NDS9947_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NDS9947D84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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 		3.5A, 20V, 0.1ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SO-8
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 		2.3A, 60V, 0.25ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
NDS9948/L99Z TI

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 		2300mA, 60V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

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