5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.36 |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.1 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 50 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 65 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NDS9948 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
|
| NDS9948 | ONSEMI |
获取价格 |
双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，-2.3A，250mΩ |
|
| NDS9948/D84Z | TI |
获取价格 |
2.3A, 60V, 0.25ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| NDS9948/L86Z | TI |
获取价格 |
2.3A, 60V, 0.25ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| NDS9948/L99Z | TI |
获取价格 |
2300mA, 60V, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
|
| NDS9948_02 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual 60V P-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| NDS9948_10 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual 60V P-Channel PowerTrenchï MOSFET |
|
| NDS9948_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 60V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| NDS9948D84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 60V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| NDS9948L86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 60V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
