Datasheet > FDS4953

FDS4953

更新时间： 2024-02-03 13:08:34

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDS4953 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.34
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.055 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

LXE1710 EVALUATION BOARD

USER GUIDE

ꢀꢁꢂꢃꢂꢄꢅꢂꢃꢂꢂꢆꢇꢈꢉꢊꢋꢌꢇꢁꢆ

ꢍꢎꢇꢀꢈꢇꢏꢊꢋꢐꢆꢑꢊꢏꢆ

ꢈꢒꢍꢓꢔꢒꢆꢕꢈꢊꢉꢍ

ꢀꢁꢂꢃꢄꢂꢃꢂꢅꢆꢀ

M I C R O S E M I

C O M P A N Y

Rev. 1.1, 2000-12-01

Page 1

Microsemi

Linfinity Microelectronics Division

11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570

12 3 4 5 6 7...18

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS4953_02	FAIRCHILD	获取价格	Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4953_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.055ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4953D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.053ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4953L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.053ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS-50	YAMAICHI	获取价格	Card Edge Connector, 50 Contact(s), 2 Row(s), Female, IDC Terminal, Socket
FDS5170N7	FAIRCHILD	获取价格	60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDS5351	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 60V, 6.1A, 35mヘ
FDS5351	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，6.1A，35mΩ
FDS5670	FAIRCHILD	获取价格	60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET
FDS5670	ONSEMI	获取价格	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，10A，14mΩ