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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> FDS4935A
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FDS4935A

更新时间： 2024-01-04 01:27:00
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 114K
描述
Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET

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FDS4935A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.42
Samacsys Description：MOSFET 30V PCH DUAL POWER TRENCH M其他特性：ESD PROTECTION
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.9 A最大漏极电流 (ID)：6.9 A
最大漏源导通电阻：0.022 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

FDS4935A 数据手册

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March 2002  
FDS4935A  
Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of  
Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
process. It has been optimized for power management  
applications requiring a wide range of gave drive  
voltage ratings (4.5V – 20V).  
• –7 A, –30 V  
RDS(ON) = 23 mΩ @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = –4.5 V  
• Low gate charge (15nC typical)  
• Fast switching speed  
Applications  
• Power management  
• Load switch  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• Battery protection  
• High power and current handling capability  
D1  
5
6
7
8
4
3
2
1
D1  
D2  
Q1  
Q2  
D2  
G1  
SO-8  
S1  
G2  
S2  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
–30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–7  
–30  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
PD  
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1.6  
W
1
0.9  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
FDS4935A  
FDS4935A  
13’’  
12mm  
2500 units  
FDS4935A Rev A(W)  
2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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FDS4935A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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