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FDS4935_NL

更新时间： 2024-01-30 07:58:38

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	118K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SO-8

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FDS4935_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	LEAD FREE, SO-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.3	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	0.023 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDS4935_NL 数据手册

June 2001

FDS4935

Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET

General Description

Features

This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of

Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench

process. It has been optimized for power management

applications requiring a wide range of gave drive

voltage ratings (4.5V – 25V).

• –7 A, –30 V

R_DS(ON)= 23 mΩ @ V_GS= –10 V

R_DS(ON)= 35 mΩ @ V_GS= –4.5 V

• Low gate charge (15nC typical)

• Fast switching speed

Applications

• Power management

• Load switch

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

• Battery protection

• High power and current handling capability

SO-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

–30

V_GSS

Gate-Source Voltage

±25

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

–7

–30

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

P_D

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

1.6

0.9

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +175

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1)

R_θJA

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

R_θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

FDS4935

13’’

12mm

2500 units

FDS4935 Rev B(W)

2003 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDS4935	FAIRCHILD	功能相似	Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDS4935A	FAIRCHILD	获取价格	Dual 30V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4935A	ONSEMI	获取价格	双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，- 30V，-7A，23mΩ
FDS4935A_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4935BZ	FAIRCHILD	获取价格	Dual 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
FDS4935BZ	ONSEMI	获取价格	双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，- 30V，-6.9A，22mΩ
FDS4935D84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4935F011	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4935L86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4935L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
FDS4935S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.023ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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