是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.18 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 7.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0135 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4410BDY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4410BDY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 7500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL | |
SI4410DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4410DY | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
SI4410DY | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor | |
SI4410DY | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET | |
SI4410DY | TYSEMI |
获取价格 |
RDS(ON) 0.0135 VGS=10V Low gate charge. Fast switching speed. | |
SI4410DY | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET | |
SI4410DY (KI4410DY) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET | |
SI4410DY_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |