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SI4408DY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-23 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 162K
描述
N-CHANNEL 20V (D-S) MOSFET - Tape and Reel

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SI4408DY-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.0045 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4408DY-T1-GE3 数据手册

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Si4408DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
21  
Available  
0.0045 at VGS = 10 V  
0.0068 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
20  
17  
PWM Optimized for Fast Switching  
Low Switching Losses  
Low Gate Drive Losses  
100 % Rg Tested  
APPLICATIONS  
•
Self-Driven Synchronous Rectification  
D
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information:  
Si4408DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4408DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
60  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
21  
17  
14  
11  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
2.9  
3.5  
2.2  
1.3  
1.6  
1
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
29  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
35  
80  
16  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
67  
°C/W  
RthJF  
13  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 70687  
S09-0221-Rev. C, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
1234567

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SI4408DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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