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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.3 A | 最大漏源导通电阻： | 1.3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MS-012AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | PURE MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI4455DY-T1-E3 | VISHAY |
类似代替  |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4410BDY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4410BDY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4410BDY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4410BDY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4410BDY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 7500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL |
|
| SI4410DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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| SI4410DY | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| SI4410DY | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| SI4410DY | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
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| SI4410DY | TYSEMI |
获取价格 |
RDS(ON) 0.0135 VGS=10V Low gate charge. Fast switching speed. |
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