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SI4409DY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-28 20:03:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 121K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

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SI4409DY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：1.3 A最大漏源导通电阻：1.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：PURE MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4409DY-T1-GE3 数据手册

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Si4409DY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)a  
Qg (Typ.)  
Definition  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % UIS Tested  
1.2 at VGS = - 10 V  
1.3 at VGS = - 6 V  
- 1.3  
- 1.2  
•
•
- 150  
4.8 nC  
APPLICATIONS  
•
Active Clamp Switch  
•
Isolated DC/DC Converters  
S
SO-8  
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
G
D
D
Top View  
D
Ordering Information:  
P-Channel MOSFET  
Si4409DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4409DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 150  
20  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
TC = 70 °C  
A = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 1.3  
- 1.0  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 0.9b, c  
- 0.7b, c  
- 2  
T
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
- 1.3  
- 0.9b, c  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
IAS  
Avalanche Current  
4
L = 0.1 mH  
mJ  
W
EAS  
Single-Pulse Avalanche Energy  
0.8  
T
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
A = 25 °C  
4.6  
2.9  
PD  
Maximum Power Dissipation  
2.2b, c  
1.4b, c  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientb, d  
Maximum Junction-to-Foot  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
47  
Maximum  
Unit  
t ≤ 5 s  
Steady State  
55  
27  
°C/W  
22  
Notes:  
a. TC = 25 °C.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 5 s.  
d. Maximum under Steady State conditions is 95 °C/W.  
Document Number: 70485  
S09-322-Rev. B, 02-Mar-09  
www.vishay.com  
1
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SI4409DY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4455DY-T1-E3 VISHAY

类似代替

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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 		TRANSISTOR 7500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPL
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