5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI4455DY-T1-E3
SI4455DY-T1-E3 PDF预览

SI4455DY-T1-E3

更新时间： 2024-09-16 21:19:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 193K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4455DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：7.08
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.295 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4455DY-T1-E3 数据手册

 浏览型号SI4455DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4455DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4455DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4455DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4455DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4455DY-T1-E3的Datasheet PDF文件第7页 
Si4455DY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 150-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100% Rg and UIS Tested  
Material categorization:  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)  
Qg (Typ.)  
- 8.9c  
- 8.6c  
0.295 at VGS = - 10 V  
0.315 at VGS = - 6 V  
- 150  
23.2 nC  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
Available  
SO-8  
APPLICATIONS  
S
S
1
2
3
4
8
7
6
5
D
• Active Clamp in Intermediate DC/  
DC Power Supplies  
S
D
•
H-Bridge High Side Switch for  
Lighting Application  
S
D
D
G
G
Top View  
D
Ordering Information:  
Si4455DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4455DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
- 150  
20  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
T
T
T
C = 25 °C  
C = 70 °C  
A = 25 °C  
- 2.8  
- 2.3  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
- 2a, b  
- 1.6a, b  
- 15  
TA = 70 °C  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
T
C = 25 °C  
A = 25 °C  
- 4.9  
- 2.5a, b  
Continuous Source-Drain Diode Current  
T
IAS  
- 15  
Avalanche Current  
Single-Pulse Avalanche Energy  
L = 0.1 mH  
EAS  
11.25  
5.9  
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
3.8  
PD  
Maximum Power Dissipation  
3.1a, b  
2a, b  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. Based on TC = 25 °C.  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambienta, b  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Symbol  
RthJA  
RthJF  
Typical  
33  
Maximum  
Unit  
t 10 s  
Steady State  
40  
21  
°C/W  
17  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. Maximum under steady state conditions is 80 °C/W.  
Document Number: 68631  
S13-1371-Rev. C, 24-Jun-13  
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com  
This document is subject to change without notice.  
www.vishay.com  
1
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

SI4455DY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4409DY-T1-GE3 VISHAY

类似代替

 Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

与SI4455DY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
Si4456DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4456DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI4456DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin SOIC N T/R
SI4456DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET - Tape and Reel
SI4459ADY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4459ADY_13 VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4459ADY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 19.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
Si4459BDY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Si4460 SILICON

获取价格

 		HIGH-PERFORMANCE, LOW-CURRENT TRANSCEIVER
Si4460-B1B-FM SILICON

获取价格

 		Version 1.2 of the Si4464-63-61-60 datasheet is now available

与SI4455DY-T1-E3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证