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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 33 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 23 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0038 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 7.8 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 70 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SI4456DY-T1-E3 | VISHAY |
类似代替  |
Trans MOSFET N-CH 40V 23A 8-Pin SOIC N T/R |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4459ADY | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4459ADY_13 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
|
| SI4459ADY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 19.7A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| Si4459BDY | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
|
| Si4460 | SILICON |
获取价格 |
HIGH-PERFORMANCE, LOW-CURRENT TRANSCEIVER |
|
| Si4460-B1B-FM | SILICON |
获取价格 |
Version 1.2 of the Si4464-63-61-60 datasheet is now available |
|
| Si4460-Bxx-FM | SILICON |
获取价格 |
HIGH-PERFORMANCE, LOW-CURRENT TRANSCEIVER |
|
| Si4460-C | SILICON |
获取价格 |
HIGH-PERFORMANCE |
|
| SI4460-C2A-GM | SILICON |
获取价格 |
HIGH-PERFORMANCE, LOW-CURRENT TRANSCEIVER |
|
| Si4461 | SILICON |
获取价格 |
HIGH-PERFORMANCE, LOW-CURRENT TRANSCEIVER |
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