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SI4462DY-T1 PDF预览

SI4462DY-T1

更新时间： 2024-11-20 15:51:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 97K
描述
TRANSISTOR 1150 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SOP-8, FET General Purpose Small Signal

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SI4462DY-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.44配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.15 A
最大漏极电流 (ID)：1.15 A最大漏源导通电阻：0.48 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4462DY-T1 数据手册

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Si4462DY  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
•
PRODUCT SUMMARY  
TrenchFET® Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (Ω)  
ID (A)  
1.50  
1.45  
Pb-free  
•
PWM Optimized for fast Switching  
0.480 at VGS = 10 V  
0.510 at VGS = 6.0 V  
Available  
200  
RoHS*  
APPLICATIONS  
COMPLIANT  
•
Primary Side Switch  
D
SO-8  
S
S
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
S
D
D
G
Top View  
S
Si4462DY-T1  
Ordering Information:  
Si4462DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 sec  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
200  
20  
V
VGS  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
1.50  
1.20  
1.15  
0.92  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
A
IDM  
IAS  
EAS  
IS  
Pulsed Drain Current  
5
Single Avalanche Current  
Single Avalanche Energy  
1.5  
L = 0.1 mH  
0.11  
mJ  
A
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
2.1  
2.5  
1.6  
1.1  
1.3  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
0.85  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
40  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 sec  
Steady State  
Steady State  
50  
85  
24  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
70  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
20  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 Board.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply.  
Document Number: 72093  
S-61005-Rev. B, 12-Jun-06  
www.vishay.com  
1
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与SI4462DY-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4462DY-T1-GE3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 1150 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMP
Si4463 SILICON

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 		HIGH-PERFORMANCE, LOW-CURRENT TRANSCEIVER
Si4463-915-DK ETC

获取价格

 		WIRELESS PRODUCT SELECTOR GUIDE
Si4463-B1B-FM SILICON

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 		Version 1.2 of the Si4464-63-61-60 datasheet is now available
SI4463BDY VISHAY

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 		P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4463BDY (KI4463BDY) KEXIN

获取价格

 		P-Channel MOSFET
SI4463BDY-E3 VISHAY

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 		P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4463BDY-T1-E3 VISHAY

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 		P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI4463BDY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
Si4463-Bxx-FM SILICON

获取价格

 		HIGH-PERFORMANCE, LOW-CURRENT TRANSCEIVER

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