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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.43 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.15 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.48 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| Si4463 | SILICON |
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HIGH-PERFORMANCE, LOW-CURRENT TRANSCEIVER |
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| Si4463-915-DK | ETC |
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WIRELESS PRODUCT SELECTOR GUIDE |
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| Si4463-B1B-FM | SILICON |
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Version 1.2 of the Si4464-63-61-60 datasheet is now available |
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| SI4463BDY | VISHAY |
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P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI4463BDY (KI4463BDY) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET |
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| SI4463BDY-E3 | VISHAY |
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P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI4463BDY-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET |
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| SI4463BDY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 9.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| Si4463-Bxx-FM | SILICON |
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HIGH-PERFORMANCE, LOW-CURRENT TRANSCEIVER |
|
| SI4463-C2A-GM | SILICON |
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Manchester Encoder/Decoder, QFN-2 |
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