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SI4456DY-E3

更新时间： 2024-09-16 20:02:39

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
7页	112K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI4456DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	33 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	7.8 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SI4456DY-E3 数据手册

Si4456DY

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

•

TrenchFET^®Gen II Power MOSFET

I_D(A)^a

V_DS(V)

r_DS(on)(Ω)

Q_g(Typ)

100 % R_gand UIS Tested

RoHS

0.0038 at V_GS= 10 V

0.0045 at V_GS= 4.5 V

COMPLIANT

37.5 nC

APPLICATIONS

•

Secondary Rectification

Point of Load

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

Ordering Information: Si4456DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

V_DS

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

_C= 25 °C

_C= 70 °C

_A= 25 °C

23^{b, c}

18^{b, c}

Continuous Drain Current (T_J= 150 °C)

I_D

T_A= 70 °C

I_DM

I_S

Pulsed Drain Current

_C= 25 °C

_A= 25 °C

7.0

3.0^{b, c}

Continuous Source-Drain Diode Current

I_AS

Avalanche Current

L = 0.1 mH

E_AS

Single Pulse Avalanche Energy

_C= 25 °C

_C= 70 °C

_A= 25 °C

7.8

5.0

P_D

Maximum Power Dissipation

3.5^{b, c}

2.2^{b, c}

- 55 to 150

T_A= 70 °C

T_J, T_stg

Operating Junction and Storage Temperature Range

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient^{b, d}

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Symbol

R_thJA

Typical

Maximum

Unit

t ≤ 5 sec

°C/W

R_thJF

Steady

Notes:

a. Based on T_C= 25 °C.

b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.

c. t = 5 sec.

d. Maximum under steady state conditions is 80 °C/W.

Document Number: 73852

S-60786–Rev. A, 08-May-06

www.vishay.com

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