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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> Si4403BDY-T1-GE3
Si4403BDY-T1-GE3 PDF预览

Si4403BDY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-30 12:04:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 231K
描述
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

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Si4403BDY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.16
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：7.3 A最大漏源导通电阻：0.017 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：PURE MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

Si4403BDY-T1-GE3 数据手册

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Si4403BDY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
• TrenchFET® Power MOSFETs  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
- 9.9  
- 8.5  
- 7.2  
0.017 at VGS = - 4.5 V  
0.023 at VGS = - 2.5 V  
0.032 at VGS = - 1.8 V  
- 20  
•
SO-8  
S
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
Top View  
D
Ordering Information: Si4403BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4403BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Parameter  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
- 20  
8
V
VGS  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 9.9  
- 7.9  
- 7.3  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
- 5.8  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
- 30  
- 2.3  
2.5  
- 1.3  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
1.35  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
1.6  
0.87  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
43  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
50  
92  
25  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
Steady State  
71  
°C/W  
RthJF  
19  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72268  
S09-0705-Rev. C, 27-Apr-09  
www.vishay.com  
1
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Si4403BDY-T1-GE3 替代型号

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