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Datasheet > SI4403CDY-T1-GE3
SI4403CDY-T1-GE3 PDF预览

SI4403CDY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-23 19:49:59
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 235K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

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SI4403CDY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：7.3Samacsys Description：P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：13.4 A最大漏极电流 (ID)：13.4 A
最大漏源导通电阻：0.0155 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：5 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4403CDY-T1-GE3 数据手册

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New Product  
Si4403CDY  
Vishay Siliconix  
P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)d  
- 13.4  
- 12  
Qg (Typ.)  
Definition  
0.0155 at VGS = - 4.5 V  
0.0195 at VGS = - 2.5 V  
0.0250 at VGS = - 1.8 V  
•
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
100 % UIS Tested  
- 20  
36.5 nC  
- 10.5  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
•
•
Adaptor Switch  
High Current Load Switch  
Notebook  
SO-8  
S
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
G
D
D
Top View  
D
Ordering Information: Si4403CDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
- 20  
8
V
A
VGS  
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
- 13.4  
- 10.7  
- 9.4a, b  
- 7.5a, b  
- 40  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
- 4.1  
- 2.1a, b  
TC = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
Avalanche Current  
IAS  
- 15  
L = 0.1 mH  
Single-Pulse Avalanche Energy  
EAS  
11.25  
5
mJ  
W
TC = 25 °C  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
3.2  
Maximum Power Dissipation  
PD  
2.5a, b  
1.6a, b  
- 55 to 150  
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambienta, c  
Symbol  
Typical  
38  
Maximum  
Unit  
t 10 s  
Steady State  
RthJA  
RthJF  
50  
25  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot  
20  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
b. t = 10 s.  
c. Maximum under steady state conditions is 85 °C/W.  
d. Based on TC = 25 °C.  
Document Number: 67341  
S11-0243-Rev. A, 14-Feb-11  
www.vishay.com  
1
1234567...10

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SI4403CDY-T1-GE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TPS1100DR TI

功能相似

 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 1.6A I(D) | SO
FDS6679Z FAIRCHILD

功能相似

 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
NDS8435A FAIRCHILD

功能相似

 Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

与SI4403CDY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
Si4403DDY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 20 V (D-S) MOSFET
SI4403DDY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor
SI4403DY VISHAY

获取价格

 		P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4403DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Transistor
SI4403DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4403DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI4404DY VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4404DY-T1 VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4404DY-T1-E3 VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Si4404DY-T1-GE3 VISHAY

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