是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.72 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7.3 A | 最大漏极电流 (ID): | 7.3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.017 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
Si4403BDY-T1-E3 | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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Si4403BDY-T1-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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SI4403CDY | VISHAY |
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P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET |
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SI4403CDY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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Si4403DDY | VISHAY |
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P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
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SI4403DDY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor |
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SI4403DY | VISHAY |
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P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
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SI4403DY-E3 | VISHAY |
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Transistor |
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SI4403DY-T1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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SI4403DY-T1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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