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SI4394DY-E3

更新时间： 2024-02-26 05:50:19

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威世 - VISHAY		开关
页数	文件大小	规格书
5页	71K
描述
N-Channel Reduced Qdg, Fast Switching WFET

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SI4394DY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.7 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

SI4394DY-E3 数据手册

Si4394DY

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel Reduced Q_dg, Fast Switching WFETt

FEATURES

D Extremely Low Q_gdWFETt Technology for

PRODUCT SUMMARY

Switching Losses

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D TrenchFETr Power MOSFET

D 100% R_gTested

APPLICATIONS

0.00825 @ V = 10 V

0.00975 @ V = 4.5 V

D High-Side DC/DC Conversion

− Notebook

− Server

D Synchronous Rectification

SO-8

Top View

Ordering Information: Si4394DY—E3 (Lead Free)

Si4394DY-T1—E3 (Lead Free with Tape and Reel)

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"12

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150__C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)

Avalanch Current

2.7

1.3

L= 0.1 mH

= 25_C

= 70_C

2.7

1.9

1.4

0.9

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 72713

S-40442—Rev. A, 15-Mar-04

www.vishay.com

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