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SI4398DY-T1-E3

更新时间： 2024-02-09 08:31:42
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 239K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 19A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

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SI4398DY-T1-E3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.81
其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.0028 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.5 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4398DY-T1-E3 数据手册

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Si4398DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel Reduced Q , Fast Switching MOSFET  
g
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
25  
0.0028 at VGS = 10 V  
0.0040 at VGS = 4.5 V  
20  
•
•
•
•
Extremely Low Qgd for Switching Losses  
Ultra-Low On-Resistance  
22  
100 % Rg and UIS Tested  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
•
•
Synchronous Rectifier in Low Power DC/DC Converters  
POL  
OR-ing  
D
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4398DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4398DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
20  
70  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
25  
20  
19  
13  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
T
Pulsed Drain Current (10 µs Pulse Width)  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Avalanche Current  
IDM  
IS  
A
2.9  
1.3  
IAS  
EAS  
40  
80  
L = 0.1 mH  
Single Pulse Avalanche Energy  
mJ  
W
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.5  
2.2  
1.6  
1.0  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
29  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
35  
80  
16  
Maximum Junction-to-Ambienta  
67  
°C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
RthJF  
13  
Notes:  
a. Surface mounted on 1” x 1” FR4 board.  
Document Number: 73018  
S11-0209-Rev. C, 14-Feb-11  
www.vishay.com  
1
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SI4398DY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		P-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SI4401DY-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 8700 mA, 40 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SO-8, FET G

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