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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.21 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0085 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4386DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
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| SI4386DY_17 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET |
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| SI4386DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SI4386DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
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| SI4386DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N-CH REDUCED QG, FAST SWITCHING MOSFET - Tape and Reel |
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| SI4390DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Qg, Fast Switching WFET |
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| SI4390DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Qg, Fast Switching WFET |
|
| SI4390DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI4390DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI4392DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
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