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SI4386DY-T1-E3

更新时间： 2024-09-27 21:13:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 172K
描述
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R

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SI4386DY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：6.98
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.007 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4386DY-T1-E3 数据手册

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Si4386DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel Reduced Q , Fast Switching MOSFET  
g
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Available  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
16  
Qg (Typ.)  
TrenchFET® Gen II Power MOSFETs  
PWM Optimized  
0.007 at VGS = 10 V  
0.0095 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
11  
30  
13.5  
100 % Rg Tested  
APPLICATIONS  
•
DC/DC Conversion for PC  
SO-8  
D
S
S
S
G
D
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
G
Top View  
S
Ordering Information:Si4386DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4386DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Parameter  
VDS  
30  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
16  
13  
11  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
9
IDM  
IS  
50  
1.3  
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
2.8  
IAS  
EAS  
20  
L = 0.1 mH  
TA = 25 °C  
20  
mJ  
W
3.1  
2
1.47  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
TA = 70 °C  
0.95  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
34  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
Steady State  
Steady State  
40  
85  
22  
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET)a  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
71  
°C/W  
RthJF  
18  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 73109  
S09-0226-Rev. D, 09-Feb-09  
www.vishay.com  
1
12345678

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与SI4386DY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4386DY-T1-GE3 VISHAY

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 		N-CH REDUCED QG, FAST SWITCHING MOSFET - Tape and Reel
SI4390DY VISHAY

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 		N-Channel Qg, Fast Switching WFET
SI4390DY-T1 VISHAY

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 		N-Channel Qg, Fast Switching WFET
SI4390DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI4390DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI4392DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET
SI4392DY_06 VISHAY

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 		N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET®
SI4392DY-E3 VISHAY

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 		N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET
SI4392DY-T1 VISHAY

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 		N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET
SI4392DY-T1-E3 VISHAY

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