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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.32 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0095 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI4390DY-T1 | VISHAY |
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N-Channel Qg, Fast Switching WFET |
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| SI4390DY-T1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI4390DY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI4392DY | VISHAY |
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N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
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| SI4392DY_06 | VISHAY |
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N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET® |
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| SI4392DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
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| SI4392DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
|
| SI4392DY-T1-E3 | VISHAY |
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N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET |
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| SI4394DY | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel Reduced Qdg, Fast Switching WFET |
|
| SI4394DY_05 | VISHAY |
获取价格 |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
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