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SI4390DY-T1-E3

更新时间： 2024-02-04 02:17:12
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 157K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8

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SI4390DY-T1-E3 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.19Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：8.5 A最大漏源导通电阻：0.0095 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI4390DY-T1-E3 数据手册

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Si4390DY  
Vishay Siliconix  
N-Channel Q , Fast Switching MOSFET  
g
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) ()  
ID (A)  
12.5  
10.5  
Definition  
0.0095 at VGS = 10 V  
0.0135 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
•
Extremely Low Qgd for Switching Losses  
TrenchFET® Power MOSFET  
100 % Rg Tested  
30  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
APPLICATIONS  
•
High-Side DC/DC Conversion  
- Notebook  
- Server  
SO-8  
D
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
Top View  
S
Ordering Information:  
Si4390DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si4390DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
30  
20  
V
VGS  
12.5  
10  
8.5  
TA = 25 °C  
A = 70 °C  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
6.8  
T
A
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
IDM  
IS  
20  
2.7  
3.0  
1.9  
1.3  
1.4  
TA = 25 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
0.9  
TA = 70 °C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, Tstg  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
RthJA  
Typical  
32  
Maximum  
Unit  
t 10 s  
42  
90  
20  
Maximum Junction-to-Ambienta  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady State  
Steady State  
68  
°C/W  
RthJF  
15  
Notes:  
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72150  
S11-0209-Rev. F, 14-Feb-11  
www.vishay.com  
1
12345678

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SI4390DY-T1-E3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4390DY-T1-GE3 VISHAY

完全替代

 Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与SI4390DY-T1-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4390DY-T1-GE3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI4392DY VISHAY

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 		N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET
SI4392DY_06 VISHAY

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 		N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET®
SI4392DY-E3 VISHAY

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 		N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET
SI4392DY-T1 VISHAY

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