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SI4378DY-T1-E3

更新时间： 2024-01-04 17:16:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 57K
描述
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI4378DY-T1-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：7.86
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A最大漏极电流 (ID)：19 A
最大漏源导通电阻：0.0027 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4378DY-T1-E3 数据手册

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Si4378DY  
Vishay Siliconix  
New Product  
N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
D Ultra Low On-Resistance Using High Density  
PRODUCT SUMMARY  
TrenchFETr Gen II Power MOSFET Technology  
D Qg Optimized  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D 100% Rg Tested  
APPLICATIONS  
0.0027 @ V = 4.5 V  
25  
22  
GS  
20  
0.0042 @ V = 2.5 V  
GS  
D Synchronous Rectification  
D Point-Of-Load  
D
SO-8  
S
S
S
G
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
G
Top View  
S
Ordering Information: Si4378DY—E3  
Si4378DY-T1—E3 (with Tape and Reel)  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
10 secs  
Steady State  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
DS  
V
GS  
20  
V
"12  
T
= 25_C  
= 70_C  
25  
20  
19  
13  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150__C)  
I
D
J
T
A
Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)  
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
Avalanche Current  
I
70  
40  
A
DM  
a
I
S
2.9  
1.3  
L = 0.1 mH  
I
AS  
T
= 25_C  
= 70_C  
3.5  
2.2  
1.6  
1
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t v 10 sec  
Steady State  
Steady State  
29  
67  
13  
35  
80  
16  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
R
thJA  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
thJF  
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72918  
S-40854—Rev. A, 03-May-04  
www.vishay.com  
1
12345

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