SI4366DY

更新时间： 2024-09-26 22:33:51

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
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描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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SI4366DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	13 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	3.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

SI4366DY 数据手册

Si4366DY

Vishay Siliconix

New Product

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES

D TrenchFETr Power MOSFET

PRODUCT SUMMARY

D Optimized for “Low Side” Synchronous

Rectifier Operation

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

D 100% R_GTested

APPLICATIONS

0.0048 @ V = 10 V

0.0055 @ V = 4.5 V

D DC/DC Converters

D Synchronous Rectifiers

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

"12

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current (10 ms Pulse Width)

Continuous Source Current (Diode Conduction)

2.9

3.5

2.2

1.3

1.6

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

-55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

thJF

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

Document Number: 71852

S-03662—Rev. B, 14-Apr-03

www.vishay.com

2-1

12 3 4

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