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SI4350DY-T1 PDF预览

SI4350DY-T1

更新时间： 2024-01-13 00:26:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 96K
描述
TRANSISTOR 7300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-14, FET General Purpose Small Signal

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SI4350DY-T1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G14针数：14
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.92配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.3 A
最大漏极电流 (ID)：7.3 A最大漏源导通电阻：0.012 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G14
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：14工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：3 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4350DY-T1 数据手册

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Si4350DY  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
D TrenchFETr Power MOSFET  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D 100% Rg Tested  
APPLICATIONS  
0.012 @ V = 10 V  
9.6  
7.8  
15  
GS  
Channel-1  
20  
0.0175 @ V = 4.5 V  
GS  
D DC/DC Converters  
0.0075 @ V = 10 V  
GS  
− Game Stations  
Channel-2  
0.010 @ V = 4.5 V  
13  
GS  
− Notebook PC Logic  
SO-14  
D
1
D
2
D
1
D
1
G
1
G
2
S
2
S
2
S
2
S
S
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
1
1
D
D
D
D
D
2
2
2
2
2
G
G
2
1
Ordering Information: Si4350DY  
Si4350DY-T1 (with Tape and Reel)  
S
1
S
2
8
N-Channel 1  
MOSFET  
N-Channel 2  
MOSFET  
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Channel-1  
Channel-2  
10 secs  
Steady State 10 secs Steady State  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
DS  
V
V
GS  
"20  
"20  
T
= 25_C  
= 70_C  
9.6  
7.7  
7.3  
5.8  
15  
12  
10  
8
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
40  
50  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.8  
2.0  
1.04  
1.14  
0.73  
2.73  
3.0  
1.30  
1.43  
0.91  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
1.28  
1.9  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
−55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel-1  
Channel-2  
Max  
Typ  
Max  
Typ  
Parameter  
Symbol  
Unit  
t v 10 sec  
53  
92  
35  
62.5  
110  
42  
35  
72  
18  
42  
87  
23  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJF  
Steady-State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady-State  
R
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72568  
S-32514—Rev. A, 08-Dec-03  
www.vishay.com  
1
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与SI4350DY-T1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4350DY-T1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 7300 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SO-14, FET Gener
SI4354DY VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4354DY-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4354DY-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI4354DY-T1-GE3 VISHAY

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SI4356-B1A-FM SILICON

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