是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.69 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 80 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 17 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0055 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 50 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Pure Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4356-B1A-FM | SILICON |
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Audio Single Chip Receiver | |
SI4356-B1A-FMR | SILICON |
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Audio Single Chip Receiver | |
SI4356DY | VISHAY |
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N-Channel 30-V MOSFET | |
SI4356DY-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
Si4362 | SILICON |
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Si4362 EZRadioPRO ISM 波段的频率范围为 142 到 1050 Hz。 | |
SI4362-B0B-FM | ETC |
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WIRELESS PRODUCT SELECTOR GUIDE | |
SI4362-B1B-FMR | SILICON |
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Telecom Circuit, | |
SI4362BDY |
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N-Channel 30-V (D-S) Reduced Qgd, Fast Switching WFET | ||
SI4362BDY-RC | VISHAY |
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R-C Thermal Model Parameters | |
SI4362BDY-T1-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 19.8 A, 30 V, 0.0046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SOP-8, |