5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > SI4340DY
SI4340DY PDF预览

SI4340DY

更新时间： 2024-09-27 22:33:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
9页 103K
描述
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

SI4340DY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.89最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.3 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI4340DY 数据手册

 浏览型号SI4340DY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4340DY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4340DY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4340DY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4340DY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4340DY的Datasheet PDF文件第7页 
Si4340DY  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
PRODUCT SUMMARY  
FEATURES  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D TrenchFETr Power MOSFET  
0.012 @ V = 10 V  
GS  
9.6  
7.8  
D 100% Rg Tested  
APPLICATIONS  
Channel-1  
Channel-2  
0.0175 @ V = 4.5 V  
GS  
20  
0.010 @ V = 10 V  
13.5  
12.8  
GS  
D DC/DC Converters  
0.0115 @ V = 4.5 V  
GS  
- Game Stations  
- Notebook PC Logic  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
VSD (V)  
Diode Forward Voltage  
VDS (V)  
IF (A)  
20  
0.53 V @ 3 A  
2.0  
SO-14  
D
1
D
2
D
1
D
1
G
1
G
2
S
2
S
2
S
2
S
S
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
1
1
D
D
D
D
D
2
2
2
2
2
Schottky Diode  
G
G
2
1
Ordering Information: Si4340DY  
Si4340DY-T1 (with Tape and Reel)  
S
1
S
2
8
N-Channel 1  
MOSFET  
N-Channel 2  
MOSFET  
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Channel-1  
Channel-2  
10 secs  
Steady State 10 secs Steady State  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
DS  
V
V
GS  
"20  
"16  
T
= 25_C  
= 70_C  
9.6  
7.7  
7.3  
5.8  
13.5  
10.8  
9.5  
7.5  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
40  
50  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.8  
2.0  
1.04  
1.14  
0.73  
2.73  
3.0  
1.30  
1.43  
0.91  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
1.28  
1.9  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel-1  
Channel-2  
Typ Max  
Schottky  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Parameter  
Symbol  
Unit  
t v 10 sec  
53  
92  
35  
62.5  
110  
42  
35  
72  
18  
42  
87  
23  
40  
76  
21  
48  
93  
25  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJF  
Steady-State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady-State  
R
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72376  
S-31857—Rev. A, 15-Sep-03  
www.vishay.com  
1
 
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与SI4340DY相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4340DY-E3 VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4340DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4340DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
SI4346DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4346DY-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4346DYT1 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI4346DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4348DY VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4348DY-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4348DY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

与SI4340DY相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证