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SI4340DY

更新时间： 2024-11-15 22:33:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
9页 103K
描述
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode

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SI4340DY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.89最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.3 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI4340DY 数据手册

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Si4340DY  
Vishay Siliconix  
New Product  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode  
PRODUCT SUMMARY  
FEATURES  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
D TrenchFETr Power MOSFET  
0.012 @ V = 10 V  
GS  
9.6  
7.8  
D 100% Rg Tested  
APPLICATIONS  
Channel-1  
Channel-2  
0.0175 @ V = 4.5 V  
GS  
20  
0.010 @ V = 10 V  
13.5  
12.8  
GS  
D DC/DC Converters  
0.0115 @ V = 4.5 V  
GS  
- Game Stations  
- Notebook PC Logic  
SCHOTTKY PRODUCT SUMMARY  
VSD (V)  
Diode Forward Voltage  
VDS (V)  
IF (A)  
20  
0.53 V @ 3 A  
2.0  
SO-14  
D
1
D
2
D
1
D
1
G
1
G
2
S
2
S
2
S
2
S
S
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
1
1
D
D
D
D
D
2
2
2
2
2
Schottky Diode  
G
G
2
1
Ordering Information: Si4340DY  
Si4340DY-T1 (with Tape and Reel)  
S
1
S
2
8
N-Channel 1  
MOSFET  
N-Channel 2  
MOSFET  
Top View  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Channel-1  
Channel-2  
10 secs  
Steady State 10 secs Steady State  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
DS  
V
V
GS  
"20  
"16  
T
= 25_C  
= 70_C  
9.6  
7.7  
7.3  
5.8  
13.5  
10.8  
9.5  
7.5  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
40  
50  
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
1.8  
2.0  
1.04  
1.14  
0.73  
2.73  
3.0  
1.30  
1.43  
0.91  
S
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
1.28  
1.9  
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Channel-1  
Channel-2  
Typ Max  
Schottky  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Parameter  
Symbol  
Unit  
t v 10 sec  
53  
92  
35  
62.5  
110  
42  
35  
72  
18  
42  
87  
23  
40  
76  
21  
48  
93  
25  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
thJF  
Steady-State  
_C/W  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
Steady-State  
R
Notes  
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.  
Document Number: 72376  
S-31857—Rev. A, 15-Sep-03  
www.vishay.com  
1
 
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与SI4340DY相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4340DY-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI4340DY-T1 VISHAY

获取价格

 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4340DY-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor,
SI4346DY VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4346DY-E3 VISHAY

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 		N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4346DYT1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 5.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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